Divisor/Combinador Diferencial de Potencia de Dos-Vías Implementado en una Tecnología SiGe BiCMOS


Divisor/Combinador Diferencial de Potencia de Dos-Vías Implementado en una Tecnología SiGe BiCMOS
Published in:	Global Partnerships for Development and Engineering Education: Proceedings of the 15th LACCEI International Multi-Conference for Engineering, Education and Technology
Date of Conference:	July 19-21, 2017
Location of Conference:	Boca Raton, FL, United States
Authors:	Vladimir García Santos, (Universidad Técnica del Norte, EC) Carlos Efraín Andrade, (Universidad Técnica del Norte, EC)
Full Paper:	#181

Abstract: Este artículo presenta un nuevo y compacto divisor/combinador diferencial de potencia de dos vías implementado en una tecnología SiGe BiCMOS. El diseño del divisor/combinador de potencia es aplicable, por ejemplo, en aplicaciones de radares de automoción de largo alcance; el divisor/combinador de potencia está diseñado a una frecuencia central de 77 GHz para una división de potencia igual, con todos los puertos acoplados a 50 Ω. El radio interior es de 18 μm, que es adecuado para la integración de sistemas en aplicaciones de circuitos integrados de microondas monolíticos (MMIC). Los resultados muestran una pérdida de retorno mejor de 24.927 dB y una baja perdida de inserción de 1.3 dB.